PS3: Samsung produziert erste 512-MBit XDR DRAM Muster

Samsung gab heute offiziell bekannt, dass man die ersten Muster eines 512-MBit XDR (eXtreme Data Rate) DRAMs mit 90nm-Strukturen hergestellt hat. Dieser Speicher kann Daten mit bis zu 9,6 GByte/sek. übertragen.

Dadurch ist dieser Speicher genau zwölf Mal schneller als der DDR400-Speicher und ist ebenso sechs Mal schneller als der RDRAM-Chips (PC 800). Dieser neue Speicherbaustein soll seitens Samsung ebenso in der PlayStation 3 zum Einsatz kommen.

Quelle: Samsung